Publikationsdetails

Zitat:	, "Type Conversion of p-(HgCd)Te Using H2/CH4 and Ar Reactive Ion Etching" , 1996, E. Belas, J. Franc, A. Toth, R. Grill, P. Höschl, H. Sitter, P. Moravec: Type Conversion of p-(HgCd)Te Using H2/CH4 and Ar Reactive Ion Etching; Semicond. Sci. and Technol. 11, 1116 (1996)
Original Titel:	Type Conversion of p-(HgCd)Te Using H2/CH4 and Ar Reactive Ion Etching
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Type Conversion of p-(HgCd)Te Using H2/CH4 and Ar Reactive Ion Etching
Erscheinungsjahr:	1996
Notiz zum Zitat:	E. Belas, J. Franc, A. Toth, R. Grill, P. Höschl, H. Sitter, P. Moravec: Type Conversion of p-(HgCd)Te Using H2/CH4 and Ar Reactive Ion Etching; Semicond. Sci. and Technol. 11, 1116 (1996)
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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