Publikationsdetails

Zitat:	W. Faschinger, Stefan Zerlauth, Günther Bauer, Leopold Palmetshofer, "Electrical Properties of Si1-xCx Alloys and Modulation Si/Si1-xCx/Si Structures" , in Applied Physics Letters, Vol. 67, Seite(n) 3933?3935, 1995, W. Faschinger, S. Zerlauth, G. Bauer, L. Palmetshofer:Electrical Properties of Si1-xCx Alloys and Modulation Si/Si1-xCx/Si Structures, Appl. Phys. Lett. 67 (26), 3933 (1995)
Original Titel:	Electrical Properties of Si1-xCx Alloys and Modulation Si/Si1-xCx/Si Structures
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Applied Physics Letters
Volume:	67
Seitenreferenz:	3933?3935
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	W. Faschinger, S. Zerlauth, G. Bauer, L. Palmetshofer:Electrical Properties of Si1-xCx Alloys and Modulation Si/Si1-xCx/Si Structures, Appl. Phys. Lett. 67 (26), 3933 (1995)
Anzahl der Seiten:	3
DOI:	10.1063/1.114409
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	W. Faschinger, Stefan Zerlauth, Günther Bauer, Leopold Palmetshofer
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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