Publikationsdetails

Zitat:	D. O. Filatov, I. A. Karpovich, Margarita V. Stepikhova, Wolfgang Jantsch, "Effect of the Near-QW Band Bending Due to QU Charging on Confinement of Light Holes in the InGaAs/GaAs Strained Quantum Well" : Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technol., St. Petersburg 1997, Seite(n) 93, 1997, D.O. Filatov, I.A. Karpovich, M.V. Stepikhova, W. Jantsch:Effect of the Near-QW Band Bending Due to QU Charging on Confinement of Light Holes in the InGaAs/GaAs Strained Quantum Well, Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technol., St. Petersburg 1997, pp. 93
Original Titel:	Effect of the Near-QW Band Bending Due to QU Charging on Confinement of Light Holes in the InGaAs/GaAs Strained Quantum Well
Sprache des Titels:	Englisch
Original Buchtitel:	Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technol., St. Petersburg 1997
Seitenreferenz:	93
Erscheinungsjahr:	1997
Notiz zum Zitat:	D.O. Filatov, I.A. Karpovich, M.V. Stepikhova, W. Jantsch:Effect of the Near-QW Band Bending Due to QU Charging on Confinement of Light Holes in the InGaAs/GaAs Strained Quantum Well, Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technol., St. Petersburg 1997, pp. 93
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in Tagungsband (nicht-referiert)
Autoren:	D. O. Filatov, I. A. Karpovich, Margarita V. Stepikhova, Wolfgang Jantsch
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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