Publikationsdetails

Zitat:	, "Effect of Ge-related Mechanical Strain on Defect and Impurity Behaviour in Ion-implanted Silicon" , 1995, Yu. Suprun-Belevich, L. Palmetshofer:Effect of Ge-related Mechanical Strain on Defect and Impurity Behaviour in Ion-implanted Silicon, Nucl. Instr. Methods B 106, 262 (1995)
Original Titel:	Effect of Ge-related Mechanical Strain on Defect and Impurity Behaviour in Ion-implanted Silicon
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Effect of Ge-related Mechanical Strain on Defect and Impurity Behaviour in Ion-implanted Silicon
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	Yu. Suprun-Belevich, L. Palmetshofer:Effect of Ge-related Mechanical Strain on Defect and Impurity Behaviour in Ion-implanted Silicon, Nucl. Instr. Methods B 106, 262 (1995)
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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