Publikationsdetails

Zitat:	Friedrich Schäffler, K. Lai, Michael Mühlberger, D.C. Tsui, S. Lyon, W. Pan, "Two-dimensional metal-insulator transition and in-plane magnetoresistance in a high-mobility strained Si quantum well" , in Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics, Vol. 72, Nummer 8, Seite(n) 081313(R), 2005, ISSN: 2469-9969
Original Titel:	Two-dimensional metal-insulator transition and in-plane magnetoresistance in a high-mobility strained Si quantum well
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics
Volume:	72
Number:	8
Seitenreferenz:	081313(R)
Erscheinungsjahr:	2005
ISSN:	2469-9969
Anzahl der Seiten:	5
DOI:	10.1103/PhysRevB.72.081313
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Friedrich Schäffler, K. Lai, Michael Mühlberger, D.C. Tsui, S. Lyon, W. Pan
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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