Publikationsdetails

Zitat:	Friedrich Schäffler, K. Lai, Michael Mühlberger, D.C. Tsui, S. Lyon, W. Pan, "Two-dimensional metal-insulator transition and in-plane magnetoresistance in a high-mobility strained Si quantum well" , in Phys. Rev. B, Vol. 72, Seite(n) 081313(R)-1/4, 2005
Original Titel:	Two-dimensional metal-insulator transition and in-plane magnetoresistance in a high-mobility strained Si quantum well
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Phys. Rev. B
Volume:	72
Seitenreferenz:	081313(R)-1/4
Erscheinungsjahr:	2005
Anzahl der Seiten:	5
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Friedrich Schäffler, K. Lai, Michael Mühlberger, D.C. Tsui, S. Lyon, W. Pan
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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