Publikationsdetails

Zitat:	Friedrich Schäffler, T. Yugova, V. Vdovin, M. M. Rzaev, "Misfit dislocation nucleation and multiplication in fully strained SiGe/Si heterostructures under thermal annealing" , in Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 8, Seite(n) 137-141, 2005, ISSN: 1369-8001
Original Titel:	Misfit dislocation nucleation and multiplication in fully strained SiGe/Si heterostructures under thermal annealing
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Materials Science in Semiconductor Processing
Volume:	8
Seitenreferenz:	137-141
Erscheinungsjahr:	2005
ISSN:	1369-8001
Anzahl der Seiten:	5
DOI:	10.1016/j.mssp.2004.09.027
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Friedrich Schäffler, T. Yugova, V. Vdovin, M. M. Rzaev
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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