Publikationsdetails

Zitat:	Gerhard Brunthaler, T. Hörmann, "Numerical evaluation of the dipole-scattering model for the metal-insulator transition in gated high mobility Silicon inversion layers" , Serie arXiv.org, Seite(n) 1-5, 2004, ISSN: 2331-8422
Original Titel:	Numerical evaluation of the dipole-scattering model for the metal-insulator transition in gated high mobility Silicon inversion layers
Sprache des Titels:	Englisch
Serie:	arXiv.org
Seitenreferenz:	1-5
Erscheinungsjahr:	2004
ISSN:	2331-8422
Anzahl der Seiten:	6
DOI:	10.48550/arXiv.cond-mat/0412762
Publikationstyp:	Preprint
Autoren:	Gerhard Brunthaler, T. Hörmann
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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