Publikationsdetails

Zitat:	Thomas Fromherz, W. Mac, C. Miesner, K. Brunner, Günther Bauer, G. Abstreiter, "Intersubband transitions of boron-doped seöf-assembled Ge quantum dots" , in Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol. 13, Nummer 2-4, Seite(n) 1022-1025, 3-2002, T. Fromherz, W. Mac, C. Miesner, K. Brunner, G. Bauer, G. Abstreiter: Intersubband transitions of boron-doped seöf-assembled Ge quantum dots, Physica E 13, 1022-1025 (2002).
Original Titel:	Intersubband transitions of boron-doped seöf-assembled Ge quantum dots
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
Volume:	13
Number:	2-4
Seitenreferenz:	1022-1025
Erscheinungsmonat:	3
Erscheinungsjahr:	2002
Notiz zum Zitat:	T. Fromherz, W. Mac, C. Miesner, K. Brunner, G. Bauer, G. Abstreiter: Intersubband transitions of boron-doped seöf-assembled Ge quantum dots, Physica E 13, 1022-1025 (2002).
Anzahl der Seiten:	4
DOI:	10.1016/S1386-9477(02)00293-X
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Thomas Fromherz, W. Mac, C. Miesner, K. Brunner, Günther Bauer, G. Abstreiter
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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