Publikationsdetails

Zitat:	J. Myslivecek, Christoph Schelling, "Step bunching during Si(001) homoepitaxy caused by the surface diffusion anisotropy" , Serie arXiv.org, 12-2002, ISSN: 2331-8422, J. Myslivecek, C. Schelling, F. Schäffler, B. Voigtländer, P. Smilauer, J. Krug; "Step bunching during Si(001) homoepitaxy caused by the surface diffusion anisotropy", Cond.Mat. 02/2331 (2002).
Original Titel:	Step bunching during Si(001) homoepitaxy caused by the surface diffusion anisotropy
Sprache des Titels:	Englisch
Serie:	arXiv.org
Erscheinungsmonat:	12
Erscheinungsjahr:	2002
Notiz zum Zitat:	J. Myslivecek, C. Schelling, F. Schäffler, B. Voigtländer, P. Smilauer, J. Krug; "Step bunching during Si(001) homoepitaxy caused by the surface diffusion anisotropy", Cond.Mat. 02/2331 (2002).
ISSN:	2331-8422
DOI:	10.48550/arXiv.cond-mat/0212331
Publikationstyp:	Preprint
Autoren:	J. Myslivecek, Christoph Schelling
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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