L. Diehl, H. Sigg, G. Dehlinger, Detlev Grützmacher, E. Müller, U. Gennser, I. Sagnes, Thomas Fromherz, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel, J. Faist,
"Intersubband absorption performed on p-type modulation doped Si0.2Ge0.8/Si quantum wells grown on Si0.5Ge0.5 pseudosubstrate"
, in Applied Physics Letters, Vol. 80, Seite(n) 3274?3276, 5-2002, I. Diehl, H. Sigg, G. Dehlinger, D. Grützmacher, E. Müller, U. Gennser, I. Sagnes, T. Fromherz, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel, J. Faist: Intersubband absorption performed on p-type modulation doped Si0.2Ge0.8/Si quantum wells grown on Si0.5Ge0.5 pseudosubstrate, Appl. Phys. Lett. 80, 3274-3276 (2002).
Original Titel:
Intersubband absorption performed on p-type modulation doped Si0.2Ge0.8/Si quantum wells grown on Si0.5Ge0.5 pseudosubstrate
Sprache des Titels:
Englisch
Journal:
Applied Physics Letters
Volume:
80
Seitenreferenz:
3274?3276
Erscheinungsmonat:
5
Erscheinungsjahr:
2002
Notiz zum Zitat:
I. Diehl, H. Sigg, G. Dehlinger, D. Grützmacher, E. Müller, U. Gennser, I. Sagnes, T. Fromherz, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel, J. Faist: Intersubband absorption performed on p-type modulation doped Si0.2Ge0.8/Si quantum wells grown on Si0.5Ge0.5 pseudosubstrate, Appl. Phys. Lett. 80, 3274-3276 (2002).