Publikationsdetails

Zitat:	, "Low-density spin susceptibility and effective mass of mobile electrons in Si inversion layers" , 5-2002, V.M. Pudalov, M.E. Gershenson, H. Kojima, N. Butch, E.M. Dizhur, G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer: Low-density spin susceptibility and effective mass of mobile electrons in Si inversion layers, Phys. Rev. Lett. 88, 196404 (2002).
Original Titel:	Low-density spin susceptibility and effective mass of mobile electrons in Si inversion layers
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Low-density spin susceptibility and effective mass of mobile electrons in Si inversion layers
Erscheinungsmonat:	5
Erscheinungsjahr:	2002
Notiz zum Zitat:	V.M. Pudalov, M.E. Gershenson, H. Kojima, N. Butch, E.M. Dizhur, G. Brunthaler, A. Prinz, G. Bauer: Low-density spin susceptibility and effective mass of mobile electrons in Si inversion layers, Phys. Rev. Lett. 88, 196404 (2002).
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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