JKU Linz  
 
 


Publikationsdetails

Zitat: N. Sandersfeld, "Modulationsdotierte Si/SiGe und Si/SiGeC Feldeffekttransistoren" , 2001,
Dipl.Phys. Nils Sandersfeld: Modulationsdotierte Si/SiGe und Si/SiGeC Feldeffekttransistoren, Dissertation Johannes Kepler University 2001
Original Titel: Modulationsdotierte Si/SiGe und Si/SiGeC Feldeffekttransistoren
Sprache des Titels: Deutsch
Erscheinungsjahr: 2001
Notiz zum Zitat: Dipl.Phys. Nils Sandersfeld: Modulationsdotierte Si/SiGe und Si/SiGeC Feldeffekttransistoren, Dissertation Johannes Kepler University 2001
Publikationstyp: Dissertation
Autoren: N. Sandersfeld
Forschungseinheiten: Abteilung für Halbleiterphysik
Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik
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