Publikationsdetails

Zitat:	R. Gann, "Elektrische Charakterisierung von SiGe- und SiC Heterostrukturen" , 1998, Rudolf Gann: Elektrische Charakterisierung von SiGe- und SiC-Heterostrukturen, Diploma work Johannes Kepler University 1998
Original Titel:	Elektrische Charakterisierung von SiGe- und SiC Heterostrukturen
Sprache des Titels:	Deutsch
Erscheinungsjahr:	1998
Notiz zum Zitat:	Rudolf Gann: Elektrische Charakterisierung von SiGe- und SiC-Heterostrukturen, Diploma work Johannes Kepler University 1998
Publikationstyp:	Diplom- oder Masterarbeit
Autoren:	R. Gann
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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