Publikationsdetails

Zitat:	A. Daniel, N. Darowski, A. Forchel, T. Geue, J. Grenzer, U. Pietsch, J.P. Reithmaier, S. Rennon, "Strain Analysis and quantum well intermixing of a laterally-modulated multiquantum well system produced by focused-ion-beam implantation"" , in Journal of Physics D: Applied Physics , 2001, J. Grenzer, N. Darowski, Th. Geue, U. Pietsch, A. Daniel, S. Rennon, J.P. Reithmaier, A. Forchel: Strain Analysis and quantum well intermixing of a laterally-modulated multiquantum well system produced by focused-ion-beam implantation", J. Phys. D: Appl. Phys. 34, A11-A14 (2001).
Original Titel:	Strain Analysis and quantum well intermixing of a laterally-modulated multiquantum well system produced by focused-ion-beam implantation"
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Physics D: Applied Physics
Erscheinungsjahr:	2001
Notiz zum Zitat:	J. Grenzer, N. Darowski, Th. Geue, U. Pietsch, A. Daniel, S. Rennon, J.P. Reithmaier, A. Forchel: Strain Analysis and quantum well intermixing of a laterally-modulated multiquantum well system produced by focused-ion-beam implantation", J. Phys. D: Appl. Phys. 34, A11-A14 (2001).
DOI:	10.1088/0022-3727/34/10a/303
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	A. Daniel, N. Darowski, A. Forchel, T. Geue, J. Grenzer, U. Pietsch, J.P. Reithmaier, S. Rennon
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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