Publikationsdetails

Zitat:	, ""Inhomogeneous strain relaxation in dry etched Si/SiGe wires: a high resolution x-ray diffraction study"" , 2000, Y. Zhuang, V. Holy, J. Stangl, S. Zerlauth, F. Sch ffler, G. Bauer, U. Pietsch, N. Darowski: "Inhomogeneous strain relaxation in dry etched Si/SiGe wires: a high resolution x-ray diffraction study", Phys. Rev. B, submitted.
Original Titel:	"Inhomogeneous strain relaxation in dry etched Si/SiGe wires: a high resolution x-ray diffraction study"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	"Inhomogeneous strain relaxation in dry etched Si/SiGe wires: a high resolution x-ray diffraction study"
Erscheinungsjahr:	2000
Notiz zum Zitat:	Y. Zhuang, V. Holy, J. Stangl, S. Zerlauth, F. Sch ffler, G. Bauer, U. Pietsch, N. Darowski: "Inhomogeneous strain relaxation in dry etched Si/SiGe wires: a high resolution x-ray diffraction study", Phys. Rev. B, submitted.
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik Abteilung für Halbleiterphysik

fodok.jku.at

Benutzerbetreuung: Sandra Winzer, letzte Änderung:

Johannes Kepler Universität (JKU) Linz, Altenbergerstr. 69, A-4040 Linz, Austria
Telefon + 43 732 / 2468 - 9121, Fax + 43 732 / 2468 - 29121, Internet www.jku.at, Impressum