Publikationsdetails

Zitat:	Friedrich Schäffler, ""Silicon-Germanium"" : Properties of Advanced Semiconductor Materials, 1999, F. Sch ffler: "Silicon-Germanium", In: "Properties of Advanced Semiconductor Materials", eds. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, John Wiley & Sons, New York 1999, in print (chapter 6).
Original Titel:	"Silicon-Germanium"
Sprache des Titels:	Englisch
Original Buchtitel:	Properties of Advanced Semiconductor Materials
Erscheinungsjahr:	1999
Notiz zum Zitat:	F. Sch ffler: "Silicon-Germanium", In: "Properties of Advanced Semiconductor Materials", eds. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, John Wiley & Sons, New York 1999, in print (chapter 6).
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in Sammelwerk (referiert)
Autoren:	Friedrich Schäffler
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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