Gehaltener Vortrag - Details

Original Vortragstitel:	Fabrication of in-plane, prism-shaped SiGe nanowires on rib-patterned Si (001) substrates
Sprache des Vortragstitels:	Englisch
Original Tagungtitel:	3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Traunkirchen, Austria, 11.-16. September 2011
Sprache des Tagungstitel:	Englisch
Vortragstyp:	Posterpräsentation
URL zu weiteren Infos:	http://www.gadest2011.at/
Vortragsdatum:	12.09.2011
Vortragsort:	Österreich
Vortragende:	Gang Chen
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Abteilung für Festkörperphysik

Wissenschaftsgebiete:	Halbleitertechnologie (ÖSTAT:2517) Festkörperphysik (ÖSTAT:1210) Technische Physik (ÖSTAT:1221) Nanotechnologie (ÖSTAT:2968) Quantenoptik (ÖSTAT:1246) Halbleiterphysik (ÖSTAT:1229)

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