Publikationsdetails

Zitat:	, "ESR Investigations Of Modulation-Doped Si/SiGe Quantum Wells" , 2000, N. Sandersfeld, W. Jantsch, Z. Wilamowski, F. Schäffler ESR Investigations Of Modulation-Doped Si/SiGe Quantum Wells Thin Solid Films 369, 312-315 (2000)
Original Titel:	ESR Investigations Of Modulation-Doped Si/SiGe Quantum Wells
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	ESR Investigations Of Modulation-Doped Si/SiGe Quantum Wells
Erscheinungsjahr:	2000
Notiz zum Zitat:	N. Sandersfeld, W. Jantsch, Z. Wilamowski, F. Schäffler ESR Investigations Of Modulation-Doped Si/SiGe Quantum Wells Thin Solid Films 369, 312-315 (2000)
Anzahl der Seiten:	4
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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