Publikationsdetails

Zitat:	, "1.54 um emission of pules-laser deposited Er-doped films on Si" , 1999, S. Lanzerstorfer, J.D. Pedarnig, R.A. Guansekaran, D. Bäuerle, W. Jantsch On the Origin of 1.5 um Luminescence in Porous Silicon Coated With Sol-Gel Derived Erbium Doped Fe2O3 Films J. Luminescence 80, 353-356 (1999)
Original Titel:	1.54 um emission of pules-laser deposited Er-doped films on Si
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	1.54 um emission of pules-laser deposited Er-doped films on Si
Erscheinungsjahr:	1999
Notiz zum Zitat:	S. Lanzerstorfer, J.D. Pedarnig, R.A. Guansekaran, D. Bäuerle, W. Jantsch On the Origin of 1.5 um Luminescence in Porous Silicon Coated With Sol-Gel Derived Erbium Doped Fe2O3 Films J. Luminescence 80, 353-356 (1999)
Anzahl der Seiten:	4
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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