Publikationsdetails

Zitat:	G. Abstreiter, Günther Bauer, A. A. Darhuber, Vaclav Holy, J. Nützel, Julian Stangl, "Oblique roughness replication in strained SiGe/Si multilayers" , in Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics, 1998, V. Holy, A.A. Darhuber, J. Stangl, G. Bauer, J. Nützel, G. Abstreiter: "Oblique roughness replication in strained SiGe/Si multilayers", Phys. Rev. B, 57, 12435-12442 (1998), ISSN No. 0163-1829
Original Titel:	Oblique roughness replication in strained SiGe/Si multilayers
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics
Erscheinungsjahr:	1998
Notiz zum Zitat:	V. Holy, A.A. Darhuber, J. Stangl, G. Bauer, J. Nützel, G. Abstreiter: "Oblique roughness replication in strained SiGe/Si multilayers", Phys. Rev. B, 57, 12435-12442 (1998), ISSN No. 0163-1829
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	G. Abstreiter, Günther Bauer, A. A. Darhuber, Vaclav Holy, J. Nützel, Julian Stangl
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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