Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, C. Penn, Friedrich Schäffler, H. Seyringer, Stefan Zerlauth, "Substitutional carbon incorporation into molecular beam epitaxy-grown Si1-yCylayers" , in Journal of Vacuum Science and Technology B, 1998, S. Zerlauth, C. Penn, H. Seyringer, G. Brunthaler, G. Bauer, F. Sch ffler: "Substitutional carbon incorporation into molecular beam epitaxy-grown Si1-yCylayers", J. Vac. Sci. and Technology, B 16(3), May/Jun, 1679-1683 (1998), ISSN-No. 0734-211X
Original Titel:	Substitutional carbon incorporation into molecular beam epitaxy-grown Si1-yCylayers
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Vacuum Science and Technology B
Erscheinungsjahr:	1998
Notiz zum Zitat:	S. Zerlauth, C. Penn, H. Seyringer, G. Brunthaler, G. Bauer, F. Sch ffler: "Substitutional carbon incorporation into molecular beam epitaxy-grown Si1-yCylayers", J. Vac. Sci. and Technology, B 16(3), May/Jun, 1679-1683 (1998), ISSN-No. 0734-211X
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, C. Penn, Friedrich Schäffler, H. Seyringer, Stefan Zerlauth
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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