Publikationsdetails

Zitat:	Muhammad Furqan, Faisal Ahmed, Bernd Heinemann, Andreas Stelzer, "A 15.5-dBm 160-GHz High-Gain Power Amplifier in SiGe BiCMOS Technology" , in IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol. 27, Nummer 2, Seite(n) 177-179, 2-2017, ISSN: 1531-1309
Original Titel:	A 15.5-dBm 160-GHz High-Gain Power Amplifier in SiGe BiCMOS Technology
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	IEEE Microwave and Wireless Components Letters
Volume:	27
Number:	2
Seitenreferenz:	177-179
Erscheinungsmonat:	2
Erscheinungsjahr:	2017
ISSN:	1531-1309
Anzahl der Seiten:	3
DOI:	10.1109/LMWC.2016.2646910
URL zu weiteren Infos:	http://ieeexplore.ieee.org/document/7839241/
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in SCI-Expanded-Zeitschrift
Autoren:	Muhammad Furqan, Faisal Ahmed, Bernd Heinemann, Andreas Stelzer
Forschungseinheiten:	Abteilung für Hochfrequenzsysteme

Wissenschaftsgebiete:	Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik (ÖSTAT:202) Hochfrequenztechnik (ÖSTAT:202019) Mikrowellentechnik (ÖSTAT:202029) Radartechnik (ÖSTAT:202033)

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