Publikationsdetails

Zitat:	Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, Le Si Dang, W. Faschinger, C. Gourgon, H. Mariette, H. Straub, C. Vieu, "Photoluminescence of CdZnTe and CdZnSe quantum well wires fabricated by reactive ion etching" , in Materials Science Forum, 1995, ISSN: 0255-5476, H. Straub, G. Brunthaler, W. Faschinger, G. Bauer, C. Gourgon, L.S. Dang, H. Mariette, C. Vieu: "Photoluminescence of CdZnTe and CdZnSe quantum well wires fabricated by reactive ion etching", Materials Science Forum 182-184, 179 (1995), Trans Tech Publications, Switzerland. ISSN-Number 0255-5476
Original Titel:	Photoluminescence of CdZnTe and CdZnSe quantum well wires fabricated by reactive ion etching
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Materials Science Forum
Erscheinungsjahr:	1995
Notiz zum Zitat:	H. Straub, G. Brunthaler, W. Faschinger, G. Bauer, C. Gourgon, L.S. Dang, H. Mariette, C. Vieu: "Photoluminescence of CdZnTe and CdZnSe quantum well wires fabricated by reactive ion etching", Materials Science Forum 182-184, 179 (1995), Trans Tech Publications, Switzerland. ISSN-Number 0255-5476
ISSN:	0255-5476
DOI:	10.4028/www.scientific.net/msf.182-184.179
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Autoren:	Günther Bauer, Gerhard Brunthaler, Le Si Dang, W. Faschinger, C. Gourgon, H. Mariette, H. Straub, C. Vieu
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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