Publikationsdetails

Zitat:	, "Photoluminescence and Backscattering Characterization of 6H SiC Implanted with Erbium and Oxygen Ions" , 1998, A. Kozanecki, C. Jeynes, B.J. Sealy, W. Jantsch, S. Lanzerstorfer, W. Heiss, G. Prechtl: Photoluminescence and Backscattering Characterization of 6H SiC Implanted with Erbium and Oxygen Ions, Mat. Sci. Forum 264-268, 501-504 (1998)
Original Titel:	Photoluminescence and Backscattering Characterization of 6H SiC Implanted with Erbium and Oxygen Ions
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Photoluminescence and Backscattering Characterization of 6H SiC Implanted with Erbium and Oxygen Ions
Erscheinungsjahr:	1998
Notiz zum Zitat:	A. Kozanecki, C. Jeynes, B.J. Sealy, W. Jantsch, S. Lanzerstorfer, W. Heiss, G. Prechtl: Photoluminescence and Backscattering Characterization of 6H SiC Implanted with Erbium and Oxygen Ions, Mat. Sci. Forum 264-268, 501-504 (1998)
Anzahl der Seiten:	4
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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