Publikationsdetails

Zitat:	D.J. Dunstan, "New Evidence for a Fluctuating Band-Gap in Amorphous Semiconductors" , in Journal of Physics C: Solid State Physics, Vol. 16, Seite(n) L567, 1983, ISSN: 0022-3719
Original Titel:	New Evidence for a Fluctuating Band-Gap in Amorphous Semiconductors
Sprache des Titels:	Englisch
Journal:	Journal of Physics C: Solid State Physics
Volume:	16
Seitenreferenz:	L567
Erscheinungsjahr:	1983
ISSN:	0022-3719
Anzahl der Seiten:	6
DOI:	10.1088/0022-3719/16/17/004
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in SCI-Expanded-Zeitschrift
Autoren:	D.J. Dunstan
Forschungseinheiten:	Institut für Angewandte Physik

Wissenschaftsgebiete:	Angewandte Physik (ÖSTAT:1203) Experimentalphysik (ÖSTAT:1209) Optik (ÖSTAT:1213) Laserphysik (ÖSTAT:1230) Laserspektroskopie (ÖSTAT:1237) Oberflächenphysik (ÖSTAT:1238) Polymerphysik (ÖSTAT:1239)

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