Publikationsdetails

Zitat:	F. Boulitrop, D.J. Dunstan, A. Chenevas-Paule, "New Model of the Temperature Dependence of the 1.4 eV Emission Band of Amorphous Silicon" , in Physical Review B, Vol. 25, Nummer 12, Seite(n) 7860, 1982
Original Titel:	New Model of the Temperature Dependence of the 1.4 eV Emission Band of Amorphous Silicon
Sprache des Titels:	Deutsch
Journal:	Physical Review B
Volume:	25
Number:	12
Seitenreferenz:	7860
Erscheinungsjahr:	1982
Anzahl der Seiten:	6
DOI:	10.1103/PhysRevB.25.7860
Reichweite:	international
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in SCI-Expanded-Zeitschrift
Autoren:	F. Boulitrop, D.J. Dunstan, A. Chenevas-Paule
Forschungseinheiten:	Institut für Angewandte Physik

Wissenschaftsgebiete:	Angewandte Physik (ÖSTAT:1203) Experimentalphysik (ÖSTAT:1209) Optik (ÖSTAT:1213) Laserphysik (ÖSTAT:1230) Laserspektroskopie (ÖSTAT:1237) Oberflächenphysik (ÖSTAT:1238) Polymerphysik (ÖSTAT:1239)

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