Stefan Wallner,
"Kristallziehprozess von monokristallinen Reinstsiliziumstäben"
, 7-2001
Original Titel:
Kristallziehprozess von monokristallinen Reinstsiliziumstäben
Sprache des Titels:
Deutsch
Original Kurzfassung:
Für die Herstellung von monokristallinen Reinstsilizum wird das Rohsilizium geschmolzen und, bevor der Ziehprozess beginnt, in ein Temperaturbad von 1430°C +/- 5K gebracht. Beonders zu beachten ist, dass die maximal erlaubten Temperaturen der Anlagenbauteile eingehalten werden und die Temperatur der Schemlze einen gewissen Wert ncht übersteigt. Für eine systematische Behandlung wird der Vorgang in die Prozessschritte Schmelzen und Stabilisieren zerlegt. Die Modellbildung ist für die Simulationen der Regelung und Steuerung erforderlich und ist im zweiten Kapitel beschreiben. Ein Teil der Arbeit enthält die Ermittlung der Steuerkurve die für das Schmelzen benötigt wird.
Die Stabilisierung des flüssigen Siliziums in ein vorgegebenes Temeraturband erfolgt mit einer Steuerung über einer überlagerten Regelung. Der gesteuerte Teil der Leistung ändert sich leicht mit der Zeit. Die Ermittlung des neuen Leistungswertes wird in einem Kapitel genauer unserucht. Der bereits implementierte Regler und die optimierten Parameter sind en einem Abschnitt behandelt. Ein großer Abschnitt befasst sich mit dem Entwurf und Simultion von weiteren Regelstrategien. Da die Strecke mit einer Totzeit behaftet ist, un die Stellgröße beschränkt ist,wird ein "Modellgestütztes Prädiktives Regelverfahren" angewendet. Ein weiterer Reglerentwurf wird mit Hilfe des Frequenzkennlinienverfahrens ausgelegt. Dieser ist in einem Kapitel entworfen und dür die Implementierung in einer SPS aufbereite. Auch die Aufbereitung des Messsignals wurde noch untersucht.