Publikationsdetails

Zitat:	, "Influence of capping on strain, composition and shape of SiGe islands" , 7-2002, A. Hesse, J. Stangl, V. Holy, G. Bauer, O. Kirfel, E. Müller, D. Grützmacher: Influence of capping on strain, composition and shape of SiGe islands, Submitted to EM2S 2002, Symp. S.
Original Titel:	Influence of capping on strain, composition and shape of SiGe islands
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Influence of capping on strain, composition and shape of SiGe islands
Erscheinungsmonat:	7
Erscheinungsjahr:	2002
Notiz zum Zitat:	A. Hesse, J. Stangl, V. Holy, G. Bauer, O. Kirfel, E. Müller, D. Grützmacher: Influence of capping on strain, composition and shape of SiGe islands, Submitted to EM2S 2002, Symp. S.
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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