Publikationsdetails

Zitat:	, "Effect of overgrowth on shape, composition and strain of SiGe islands on Si(001)" , 7-2002, A. Hesse, J. Stangl, V. Holy, T. Roch, G. Bauer, O.G. Schmidt, U. Denker, B. Struth: Effect of overgrowth on shape, composition and strain of SiGe islands on Si(001), Phys. Rev. B 66 (2002), in print.
Original Titel:	Effect of overgrowth on shape, composition and strain of SiGe islands on Si(001)
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Effect of overgrowth on shape, composition and strain of SiGe islands on Si(001)
Erscheinungsmonat:	7
Erscheinungsjahr:	2002
Notiz zum Zitat:	A. Hesse, J. Stangl, V. Holy, T. Roch, G. Bauer, O.G. Schmidt, U. Denker, B. Struth: Effect of overgrowth on shape, composition and strain of SiGe islands on Si(001), Phys. Rev. B 66 (2002), in print.
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Abteilung für Halbleiterphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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