Publikationsdetails

Zitat:	, "Simultaneous doping of Silicon layers with Erbium and Oxygen in the course of molecular beam epitaxy" , 2001, V.G. Shengurov, S.P. Svetlov, V.Yu. Chalkov, G.A. Maksimov, Z.F. Krasil'nik, B.A. Andreev, M.V. Stepikhova, D.V. Shengurov, L. Palmetshofer, H. Ellmer: Simultaneous doping of Silicon layers with Erbium and Oxygen in the course of molecular beam epitaxy Semicond. 35, 918 (2001)
Original Titel:	Simultaneous doping of Silicon layers with Erbium and Oxygen in the course of molecular beam epitaxy
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	Simultaneous doping of Silicon layers with Erbium and Oxygen in the course of molecular beam epitaxy
Erscheinungsjahr:	2001
Notiz zum Zitat:	V.G. Shengurov, S.P. Svetlov, V.Yu. Chalkov, G.A. Maksimov, Z.F. Krasil'nik, B.A. Andreev, M.V. Stepikhova, D.V. Shengurov, L. Palmetshofer, H. Ellmer: Simultaneous doping of Silicon layers with Erbium and Oxygen in the course of molecular beam epitaxy Semicond. 35, 918 (2001)
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Abteilung für Festkörperphysik Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik

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