Publikationsdetails

Zitat:	, ""STM investigations and KMC modeling of the kinetic growth instability on vicinal Si (001) substrates"" , 2001, C. Schelling, J. Myslivecek, G. Springholz, F. Sch ffler, M. Sulzberger, B. Voigtl nder: "STM investigations and KMC modeling of the kinetic growth instability on vicinal Si (001) substrates", Surface Science, submitted.
Original Titel:	"STM investigations and KMC modeling of the kinetic growth instability on vicinal Si (001) substrates"
Sprache des Titels:	Englisch
Englischer Titel:	"STM investigations and KMC modeling of the kinetic growth instability on vicinal Si (001) substrates"
Erscheinungsjahr:	2001
Notiz zum Zitat:	C. Schelling, J. Myslivecek, G. Springholz, F. Sch ffler, M. Sulzberger, B. Voigtl nder: "STM investigations and KMC modeling of the kinetic growth instability on vicinal Si (001) substrates", Surface Science, submitted.
Publikationstyp:	Aufsatz / Paper in sonstiger referierter Fachzeitschrift
Forschungseinheiten:	Institut für Halbleiter- und Festkörperphysik Abteilung für Halbleiterphysik

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