Reflexionsdifferenzspektroskopie an epitaktisch gewachsenen II-VI-Halbleitern
Sprache der Bezeichnung:
Deutsch
Original Kurzfassung:
Die Methode der RDS hat sich bei der Oberflächenanalyse von III-V-Verbindungen sehr bewährt. Diese Erfahrungen sollen auf II-VI-Verbindungen übertragen werden und damit eine Charakterisierung der Oberfläche während des epitaktischen Wachstums ermöglichen.