Herstellung epitaktischer Schichten aus C60 und C60-Ba-Verbindungen hoher kristalliner Qualität. Als Wachstumsmethode wurde die Hot-Wall-Epitaxie gewählt, da sie wegen ihres geschlossenen Charakters ein Wachstum nahe am thermodynamischen Gleichgewicht erlaubt und daher für die Van-der-Waals-Epitaxie besonders geeignet erscheint